(Senior) Principal Process Development Engineer (m/f/d) - Wide Bandgap Technology (SiC/GaN)

Nexperia · Hamburg, Germany

Solliciteer niet blind. Bekijk eerst hoe goed je cv past bij Softwareontwikkelaar — gratis, in 30 seconden.

Je gaat verder naar de originele vacature van de werkgever.

Bedrijf
Nexperia
Locatie
Hamburg, Germany
Geplaatst op
25 juni 2026

Over deze vacature

About the role In this leadership role, you will drive the development and industrialization of next-generation wide bandgap technologies, influencing both strategy and execution across our global manufacturing network. What you will do Lead the development, scaling, and industrialization of SiC MOSFET and GaN HEMT technologies across internal fabs and external foundries Act as a technical authority in wide bandgap process integration, driving architecture definition and innovation Own and deliver new manufacturing processes and optimization programs, ensuring best-in-class yield, performance, and reliability Define and execute technology roadmaps, aligning innovation with long-term business strategy Drive global cross-functional collaboration across R&D, production, quality, and external

Dit is een korte samenvatting. Wil je weten of je past? Check je cv voor deze functie — gratis, in 30 seconden.

Vergelijkbare vacatures

Past jouw cv bij deze baan?

Plak je cv voor een directe match-score voor deze functie — plus een persoonlijke motivatiebrief met één klik.

  • Directe match-score voor deze functie
  • Persoonlijke motivatiebrief met één klik
  • Gratis — geen creditcard
Mijn cv checken — gratis