(Senior) Principal Process Development Engineer (m/f/d) - Wide Bandgap Technology (SiC/GaN)

Nexperia · Hamburg, Germany

Не откликайтесь вслепую. Сначала проверьте, насколько ваше резюме подходит на роль Разработчик ПО — бесплатно, за 30 секунд.

Проверить резюме — бесплатноОткликнуться на сайте компании ↗

Вы перейдёте к оригинальному объявлению работодателя.

Компания
Nexperia
Локация
Hamburg, Germany
Опубликовано
25 июня 2026 г.

Об этой вакансии

About the role In this leadership role, you will drive the development and industrialization of next-generation wide bandgap technologies, influencing both strategy and execution across our global manufacturing network. What you will do Lead the development, scaling, and industrialization of SiC MOSFET and GaN HEMT technologies across internal fabs and external foundries Act as a technical authority in wide bandgap process integration, driving architecture definition and innovation Own and deliver new manufacturing processes and optimization programs, ensuring best-in-class yield, performance, and reliability Define and execute technology roadmaps, aligning innovation with long-term business strategy Drive global cross-functional collaboration across R&D, production, quality, and external …

Это краткое описание. Хотите узнать, подходите ли вы? Проверьте резюме под эту роль — бесплатно, за 30 секунд.

Похожие вакансии

Узнайте, подходит ли ваше резюме под эту вакансию

Вставьте резюме и получите мгновенную оценку соответствия этой роли — плюс персональное сопроводительное письмо в один клик.

  • Мгновенная оценка соответствия этой роли
  • Персональное сопроводительное письмо в один клик
  • Бесплатно — без карты
Проверить резюме — бесплатно
(Senior) Principal Process Development Engineer (m/f/d) - Wide Bandgap Technology (SiC/GaN) — Nexperia | NewLuxJob