(Senior) Principal Process Development Engineer (m/f/d) - Wide Bandgap Technology (SiC/GaN)

Nexperia · Hamburg, Germany

Bewerben Sie sich nicht blind. Sehen Sie zuerst, wie gut Ihr Lebenslauf zu Softwareentwickler passt — kostenlos, in 30 Sekunden.

Sie werden zur Original-Anzeige des Arbeitgebers weitergeleitet.

Unternehmen
Nexperia
Standort
Hamburg, Germany
Veröffentlicht am
25. Juni 2026

Über diese Stelle

About the role In this leadership role, you will drive the development and industrialization of next-generation wide bandgap technologies, influencing both strategy and execution across our global manufacturing network. What you will do Lead the development, scaling, and industrialization of SiC MOSFET and GaN HEMT technologies across internal fabs and external foundries Act as a technical authority in wide bandgap process integration, driving architecture definition and innovation Own and deliver new manufacturing processes and optimization programs, ensuring best-in-class yield, performance, and reliability Define and execute technology roadmaps, aligning innovation with long-term business strategy Drive global cross-functional collaboration across R&D, production, quality, and external

Das ist eine Kurzfassung. Wissen Sie, ob Sie passen? Prüfen Sie Ihren Lebenslauf für diese Stelle — kostenlos, in 30 Sekunden.

Ähnliche Jobs

Passt Ihr Lebenslauf zu diesem Job?

Fügen Sie Ihren Lebenslauf ein und erhalten Sie sofort einen Match-Score für diese Stelle — plus ein passendes Anschreiben mit einem Klick.

  • Sofortiger Match-Score für diese Stelle
  • Passendes Anschreiben mit einem Klick
  • Kostenlos — keine Kreditkarte
Meinen Lebenslauf prüfen — kostenlos
(Senior) Principal Process Development Engineer (m/f/d) - Wide Bandgap Technology (SiC/GaN) — Nexperia | NewLuxJob