Ingénieur caractérisation de composants RF hyperfréquence (H/F)

Thales · Palaiseau

Ne postulez pas à l’aveugle. Voyez d’abord si votre CV correspond au poste de Ingénieur — gratuit, en 30 secondes.

Vous quittez NewLuxJob. Nous ne recevons ni ne traitons les candidatures.

Entreprise
Thales
Lieu
Palaiseau
Publiée le
2 septembre 2026

À propos de ce poste

Rejoignez le III-V Lab, un Groupement à Intérêt Economique (GIE) constitué par 3 membres: Thales, Nokia et le CEA-Leti. Au sein du programme GaN, vous contribuerez à des projets innovants centrés sur les transistors à nitrure de gallium (GaN HEMT), des composants clés pour les systèmes de télécommunications, de défense, de sécurité et du spatial. Ces technologies de pointe permettent de répondre aux enjeux de puissance et de performance dans les applications radiofréquences. Le programme GaN avec sa dizaine de collaborateurs est en charge des thématiques liées à l’utilisation des transistors à base de nitrure du gallium (GaN) pour les applications radiofréquences de puissance. Ces transistors sont dits « HEMT » pour High Electronic Mobility Transistor.

Ceci est un résumé.

Vous voulez savoir si vous correspondez ? Comparez votre CV à cette offre — gratuit, en 30 secondes.

Salaires Ingénieur — France

Basé sur 5 132 offres indiquant la rémunération.

Salaire médianbrut / an
45 000 €
40 000 €Fourchette courante51 500 €

Estimé à partir des rémunérations affichées sur nos sources — montants bruts annuels indicatifs, pas une offre.

Offres similaires

Votre CV correspond-il à cette offre ?

Collez votre CV pour obtenir un score de correspondance instantané pour ce poste — et une lettre de motivation sur mesure en un clic.

  • Score de correspondance instantané pour ce poste
  • Lettre de motivation sur mesure en un clic
  • Gratuit — sans carte bancaire
Vérifier mon CV — gratuit