(Senior) Principal Device Engineer (m/f/d) – GaN Power Devices

Nexperia · 3 Locations, Germany

Не откликайтесь вслепую. Сначала проверьте, насколько ваше резюме подходит на роль Инженер — бесплатно, за 30 секунд.

Проверить резюме — бесплатноОткликнуться на сайте компании ↗

Вы перейдёте к оригинальному объявлению работодателя.

Компания
Nexperia
Локация
3 Locations, Germany
Опубликовано
25 июня 2026 г.

Об этой вакансии

About the Role Join Nexperia and drive the development of next-generation GaN power devices. In this senior role, you will provide technical leadership in device architecture, simulation, and optimization—translating advanced device physics into high-performance, manufacturable solutions. What You Will Do Lead device architecture definition and optimization for GaN technologies Own performance targets and balance trade-offs across performance, reliability, and manufacturability Drive TCAD simulation, modeling, and design to support technology and product development Collaborate with cross-functional teams across process, characterization, reliability, and product engineering Support industrialization by delivering robust, scalable device concepts Your Profile Degree (MSc/PhD) or equivalent…

Это краткое описание. Хотите узнать, подходите ли вы? Проверьте резюме под эту роль — бесплатно, за 30 секунд.

Похожие вакансии

Узнайте, подходит ли ваше резюме под эту вакансию

Вставьте резюме и получите мгновенную оценку соответствия этой роли — плюс персональное сопроводительное письмо в один клик.

  • Мгновенная оценка соответствия этой роли
  • Персональное сопроводительное письмо в один клик
  • Бесплатно — без карты
Проверить резюме — бесплатно
(Senior) Principal Device Engineer (m/f/d) – GaN Power Devices — Nexperia | NewLuxJob