Doktorand inom SiC transistorer för kraftelektronik

KUNGLIGA TEKNISKA HÖGSKOLAN · Stockholm, Sverige

Не откликайтесь вслепую. Сначала проверьте, насколько ваше резюме подходит на эту роль — бесплатно, за 30 секунд.

Вы перейдёте к оригинальному объявлению работодателя.

Компания
KUNGLIGA TEKNISKA HÖGSKOLAN
Локация
Stockholm, Sverige
Тип занятости
Полная занятость
Опубликовано
8 июня 2026 г.

Об этой вакансии

Projektbeskrivning Forskarutbildningsämne:Informations- och kommunikationsteknik (INFKTEKN) Doktoranden kommer att bidra till banbrytande forskning inom kiselkarbid (SiC) bipolärtransistorer BJT och IGBTs för nästa generations kraftelektronikapplikationer. Dessa komponenter är avgörande för att förbättra energieffektivitet, prestanda och tillförlitlighet inom industrier som förnybar energi, elfordon och industriell automation. Tjänsten innebär tillverkning och karakterisering av nya komponenter i KTH:s Electrumlaboratorium (http://electrumlab.se/kthrise.aspx) med fokus på halvledar-processteknik för att förbättra komponentprestanda. Doktoranden kommer att ingå i en internationellt erkänd SiC-forskargrupp (https://www.kth.se/ee/ees) och EU-projektet WBG Pilot line (https://www.wbg-pilot-lin

Это краткое описание. Хотите узнать, подходите ли вы? Проверьте резюме под эту роль — бесплатно, за 30 секунд.

Узнайте, подходит ли ваше резюме под эту вакансию

Вставьте резюме и получите мгновенную оценку соответствия этой роли — плюс персональное сопроводительное письмо в один клик.

  • Мгновенная оценка соответствия этой роли
  • Персональное сопроводительное письмо в один клик
  • Бесплатно — без карты
Проверить резюме — бесплатно
Doktorand inom SiC transistorer för kraftelektronik — KUNGLIGA TEKNISKA HÖGSKOLAN | NewLuxJob | NewLuxJob